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  • IDB18E120ATMA1

IDB18E120ATMA1

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
产品属性
描述DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3技术标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)1200 V电流 - 平均整流 (Io)31A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)2.15 V @ 18 A速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr)195 ns不同 Vr 时电流 - 反向泄漏100 μA @ 1200 V
不同?Vr、F 时电容-安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB供应商器件封装PG-TO263-3-2
工作温度 - 结-55°C ~ 150°C

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