| 描述 | DIODE GP 1.2KV 10A WAFER | 技术 | 标准 |
|---|---|---|---|
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 1200 V | 电流 - 平均整流 (Io) | 10A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 2.05 V @ 10 A | 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | - | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 2.7 μA @ 1200 V |
| 不同?Vr、F 时电容 | - | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 模具 | 供应商器件封装 | 带箔切割晶片 |
| 工作温度 - 结 | -40°C ~ 175°C |
