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  • IDH04G65C5XKSA1

IDH04G65C5XKSA1

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  • 系列:CoolSiC?+
  • 包装:管件
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产品属性
描述DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2-2技术SiC(Silicon Carbide)Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)650 V电流 - 平均整流 (Io)4A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.7 V @ 4 A速度无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr)0 ns不同 Vr 时电流 - 反向泄漏140 μA @ 650 V
不同?Vr、F 时电容130pF @ 1V,1MHz安装类型通孔
封装/外壳TO-220-2供应商器件封装PG-TO220-2-2
工作温度 - 结-55°C ~ 175°C

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