| 描述 | IGBT CHIP | IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200 V | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 75 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 225 A | 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值） | 2.42V @ 15V，75A |
| 功率 - 最大值 | - | 开关能量 | - |
| 输入类型 | 标准 | 栅极电荷 | - |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | - | 测试条件 | - |
| 反向恢复时间 (trr) | - | 工作温度 | -40°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 模具 |
| 供应商器件封装 | 模具 |
