| 描述 | IGD10N65T6ARMA1 | IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 23 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 42.5 A | 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值） | 1.9V @ 15V，8.5A |
| 功率 - 最大值 | 75 W | 开关能量 | 200μJ（开），70μJ（关） |
| 输入类型 | 标准 | 栅极电荷 | 27 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 30ns/106ns | 测试条件 | 400V，8.5A，47 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | - | 工作温度 | -40°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
