| 描述 | GAN HV | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | GaNFET（氮化镓） | 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12.8A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | - | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1，6V @ 960μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | - | Vgs（最大值） | -10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 157 pF @ 400 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 55，5W（Tc） | 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-TSON-8-6 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
