描述 | GAN HV | FET 类型 | - |
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技术 | GaNFET(氮化镓) | 漏源电压(Vdss) | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | - | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | - |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | - | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | - |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | Vgs(最大值) | - |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | - | FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | - | 工作温度 | - |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-DSO-20-85 |
封装/外壳 | 20-PowerSOIC(0.433",11.00mm 宽) |