| 描述 | IGBT 600V 20A 110W TO220-3 | IGBT 类型 | NPT、沟道和场截止 |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 600V | Vge, Ic时的最大Vce（开） | 2.05V @ 15V，10A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 20A | 功率 - 最大 | 110W |
| 输入类型 | 标准型 | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | 供应商设备封装 | PG-TO220-3 |
| 包装 | 管件 | 其它名称 | SP000683042 |
图)时的开关损耗 emcon3与emcon2技术的基准两种带二极管的igbt的单位安培功率损耗平衡情况如图4所示。左条形图显示的是最新推出的emcon3技术与trenchstop-igbt(igbt3技术)结合的结果。如上所述， emcon3技术是针对更低开关损耗以及稍高正向压降进行优化的。右条形图显示的是emcon2技术与trenchstop-igbt结合的结果。本基准中使用的emcon2二极管是英飞凌fast-igbt系列中的反并联二极管。该二极管针对低正向压降进行了优化。在图4中使用的是igp10n60t, 热阻rthhs =4.2 k/w的散热器, 环境温度ta = 50℃, 使结温升高至125℃左右。开关频率fp为16 khz，证明了igp10n60t和emcon3技术结合的性能。从图5中可以看出，正如预期的那样，igbt导通损耗根本不受二极管影响。vf优化型二极管的qrr提高对igbt的动态损耗pvsi和二极管的动态损耗pvsd有很大影响。两种影响合在一起：二极管本身动态损耗的提高及其对igbt的影响，超越了vf优化型二极管导通期间的优势。该特性在开关频率为5 khz 左右时已经非常明显， ...
技术的基准 两种带二极管的ig bt的单位安培功率损耗平衡情况如图4所示。左条形图显示的是最新推出的emcon3技术与trenchstop-igbt(igbt3技术)结合的结果。如上所述， emcon3技术是针对更低开关损耗以及稍高正向压降进行优化的。右条形图显示的是emcon2技术与trenchstop-igbt结合的结果。本基准中使用的emcon2二极管是英飞凌fast-igbt系列中的反并联二极管。该二极管针对低正向压降进行了优化。在图4中使用的是igp10n60t, 热阻rthhs =4.2 k/w的散热器, 环境温度ta = 50℃, 使结温升高至125℃左右。开关频率fp为16 khz，证明了igp10n60t和emcon3技术结合的性能。从图5中可以看出，正如预期的那样，igbt导通损耗根本不受二极管影响。vf优化型二极管的qrr提高对igbt的动态损耗pvsi和二极管的动态损耗pvsd有很大影响。两种影响合在一起：二极管本身动态损耗的提高及其对igbt的影响，超越了vf优化型二极管导通期间的优势。该特性在开关频率为5 khz 左右时已经非常明显， ...
