| 描述 | IGBT 1200V 40A 330W TO247-3 | IGBT 类型 | NPT、沟道和场截止 |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 1200V | Vge, Ic时的最大Vce（开） | 1.75V @ 15V，20A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 40A | 功率 - 最大 | 330W |
| 输入类型 | 标准型 | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 | 供应商设备封装 | PG-TO247-3 |
| 包装 | 管件 | 其它名称 | SP000212015 |
图1：应用trenchstop技术的rc-igbt 图2 ：rc-igbt芯片(ihw20n120r)前视图 图3：基于trenchstop技术的最新一代rc2-igbt的沟槽栅截面图(沟槽栅里的洞是为分析准备) 图4 ：igbt和二极管晶圆厚度变化 在典型饱和压降vce(sat)=1.6v@25℃/1.85v@175℃和典型正向电压vf=1.25v@175℃(额定电流)的条件下，功率损(特别是软开关应用的导通损耗)可大幅度降低。由ihw20n120r2的下降时间的切线可看出高速度—tf=24ns@25℃和rg=30ω(44ns@175℃)。ihw30120r2在下降时间方面是最为出色的：tf=33ns@25℃，rg=30ω；tf=40ns@175℃。(在硬开关条件下测量，参见带有eoff曲线的图6和图7)。 图5 ：来自英飞凌科技的最新一代rc2-igbt(ihwxxn120r2，xx=15a、20a、25a和30a)。采用无铅电镀to-247封装 图6 ： 在硬开关条件下，175℃结温以及室温下ihw20n120 ...
