描述 | IKD08N65ET6ARMA1 | IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
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电压 - 集射极击穿(最大值) | 650 V | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 15 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 25 A | 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值) | 1.9V @ 15V,5A |
功率 - 最大值 | 47 W | 开关能量 | 110μJ(开),40μJ(关) |
输入类型 | 标准 | 栅极电荷 | 17 nC |
25°C 时 Td(开/关)值 | 20ns/59ns | 测试条件 | 400V,5A,47 欧姆,15V |
反向恢复时间 (trr) | 43 ns | 工作温度 | -40°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
供应商器件封装 | PG-TO252-3 |