| 描述 | 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 100-200% | 最大集电极/发射极电压 | 70 V |
|---|---|---|---|
| 最大集电极/发射极饱和电压 | 0.4 V | 绝缘电压 | 4000 Vrms |
| 电流传递比 | 200 % | 最大正向二极管电压 | 1.55 V |
| 最大功率耗散 | 300 mW | 最大工作温度 | + 110 C |
| 最小工作温度 | - 55 C | 封装 / 箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 封装 | Reel | 最大输入二极管电流 | 30 mA |
| 最大反向二极管电压 | 6 V | 输出设备 | Phototransistor |
| 输出类型 | DC | 标准包装数量 | 2000 |
