您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 > imh2at110
  • IMH2AT110

IMH2AT110

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.082
  • 6000$0.0738
  • 24000$0.0615
  • 51000$0.05453
  • 99000$0.0533
描述TRANS DUAL NPN 50V 30MA SOT-457电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V电阻器 - 基极 (R1)(欧)47k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)68 @ 5mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 500?A,10mA电流 - 集电极截止(最大)500nA
频率 - 转换250MHz功率 - 最大300mW
安装类型表面贴装封装/外壳SC-74,SOT-457
供应商设备封装SMT6包装带卷 (TR)
其它名称IMH2AT110TR

imh2at110的相关型号: