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  • IMW65R030M1HXKSA1

IMW65R030M1HXKSA1

  • 制造商:-
  • 现有数量:49现货
  • 价格:1 : ¥162.42000管件
  • 系列:CoolSiC?
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
产品属性
描述SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247FET 类型N 通道
技术SiCFET(碳化硅)漏源电压(Vdss)650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)58A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)42 毫欧 @ 29.5A,18V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5.7V @ 8.8mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)48 nC @ 18 VVgs(最大值)+20V,-2V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1643 pF @ 400 VFET 功能-
功率耗散(最大值)197W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装PG-TO247-3-41
封装/外壳TO-247-3

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