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  • IPA030N10N3 G

IPA030N10N3 G

  • 制造商:-
  • 数据列表:IPA030N10N3 G
  • 标准包装:500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:OptiMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$6.52
  • 10$5.825
  • 25$5.2424
  • 100$4.7763
  • 250$4.31032
产品属性
描述MOSFET N-CH 100V 79A TO220-FPFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C79A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3 毫欧 @ 79A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 270?A闸电荷(Qg) @ Vgs206nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds14800pF @ 50V功率 - 最大41W
安装类型通孔封装/外壳TO-220-3 整包
供应商设备封装PG-TO220-FP包装管件
其它名称SP000464914

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