| 描述 | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 20.2A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 190 毫欧 @ 7.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3.5V @ 730?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 73nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1620pF @ 100V | 功率 - 最大 | 34W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装 | PG-TO220 整包 | 包装 | 管件 |
| 其它名称 | IPA65R190C6XKSA1SP000863892 |
