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  • IPB016N06L3 G

IPB016N06L3 G

  • 制造商:-
  • 数据列表:IPB016N06L3 G
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:OptiMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1000$2.1525
产品属性
描述MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C180A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.6 毫欧 @ 100A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 196?A闸电荷(Qg) @ Vgs166nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds28000pF @ 30V功率 - 最大250W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-7,D?Pak(6 引线+接片),TO-263CB
供应商设备封装PG-TO263-7包装带卷 (TR)
其它名称SP000453040

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