您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > ipb020n04n g
  • IPB020N04N G

IPB020N04N G

  • 制造商:-
  • 数据列表:IPB020N04N G
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:OptiMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1000$1.16899
  • 2000$1.08837
  • 5000$1.04806
  • 10000$1.00775
  • 25000$0.9876
产品属性
描述MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C140A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2 毫欧 @ 100A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 95?A闸电荷(Qg) @ Vgs120nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds9700pF @ 20V功率 - 最大167W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-7,D?Pak(6 引线+接片),TO-263CB
供应商设备封装PG-TO263-7包装带卷 (TR)
其它名称IPB020N04N G-NDSP000359157

ipb020n04n g的相关型号: