| 描述 | MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 180A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 2.5 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3.5V @ 275?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 206nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 14800pF @ 50V | 功率 - 最大 | 300W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-263-7，D?Pak（6 引线+接片），TO-263CB |
| 供应商设备封装 | PG-TO263-7 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | IPB025N10N3 G-NDIPB025N10N3 GTRSP000469888 |
