| 描述 | MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 120V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 120A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 3.8 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 270?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 211nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 13800pF @ 60V | 功率 - 最大 | 300W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | PG-TO263-2 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | IPB038N12N3 G-NDIPB038N12N3 GTRSP000694160 |
