| 描述 | MOSFET OptiMOS Power Transistor | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 4.2 mOhms at 10 V |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | PG-TO263-3 |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 14 ns |
| 栅极电荷 Qg | 88 nC | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 214 W | 上升时间 | 59 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 48 ns | 零件号别名 | E8187 G IPB042N10N3 IPB042N10N3GE8187ATMA1 |
