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IPB04N03LAG

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：25 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V

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产品属性

描述	MOSFET N-CH 25 V 80 A	漏极连续电流	80 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	6.4 m Ohms	配置	Single
最大工作温度	+ 175 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TO-263	封装	Reel
下降时间	5.4 ns	正向跨导 gFS（最大值/最小值）	85 S
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	107 W
上升时间	4.5 ns	工厂包装数量	1000
典型关闭延迟时间	38 ns

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