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  • IPB065N15N3 G

IPB065N15N3 G

  • 制造商:-
  • 数据列表:IPB065N15N3 G
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:OptiMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1000$3.89907
  • 2000$3.75466
  • 5000$3.61025
  • 10000$3.53805
  • 25000$3.46584
产品属性
描述MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C130A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.5 毫欧 @ 100A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 270?A闸电荷(Qg) @ Vgs93nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds7300pF @ 75V功率 - 最大300W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-7,D?Pak(6 引线+接片),TO-263CB
供应商设备封装PG-TO263-7包装带卷 (TR)
其它名称IPB065N15N3 G-NDSP000521724

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