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  • IPB06N03LA

IPB06N03LA

  • 制造商:-
  • 数据列表:IPB06N03LA G
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:OptiMOS?
产品属性
描述MOSFET N-CH 25V 50A D2PAKFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C50A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.9 毫欧 @ 30A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 40?A闸电荷(Qg) @ Vgs22nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds2653pF @ 15V功率 - 最大83W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装PG-TO263-3包装带卷 (TR)
其它名称IPB06N03LAINTRSP000016269

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