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  • IPB080N06N G

IPB080N06N G

  • 制造商:-
  • 数据列表:IPB,IPP080N06N G
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:OptiMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品属性
描述MOSFET N-CH 60V 80A TO-263FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C80A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.7 毫欧 @ 80A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 150?A闸电荷(Qg) @ Vgs93nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds3500pF @ 30V功率 - 最大214W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装PG-TO263-3包装带卷 (TR)
其它名称IPB080N06N G-NDIPB080N06NGINTRIPB080N06NGXTSP000204174

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