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  • IPB097N08N3 G

IPB097N08N3 G

  • 制造商:-
  • 数据列表:IPx097,100N08N3 G
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:OptiMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1000$0.72906
  • 2000$0.67878
  • 5000$0.65364
  • 10000$0.6285
  • 25000$0.61593
产品属性
描述MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)80V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C70A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9.7 毫欧 @ 46A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 46?A闸电荷(Qg) @ Vgs35nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds2410pF @ 40V功率 - 最大100W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装PG-TO263-2包装带卷 (TR)
其它名称IPB097N08N3 G-NDSP000474200

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