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IPB107N20NAXT

制造商：-
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：200 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V
漏极连续电流：88 A

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参考价格

数量单价
646￥39.61
1000￥34.43
2000￥33.19

产品属性

描述	MOSFET OptiMOS 3 Power Transistor	电阻汲极/源极 RDS（导通）	10.7 mOhms at 10 V
配置	Single	最大工作温度	+ 175 C
安装风格	SMD/SMT	封装 / 箱体	PG-TO263-3
封装	Reel	下降时间	11 ns
栅极电荷 Qg	65 nC	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	300 W	上升时间	26 ns
典型关闭延迟时间	41 ns	零件号别名	IPB107N20NA IPB107N20NAATMA1

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