您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > ipb120n06n g

IPB120N06N G

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：60 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V

发布求购更多供应商

产品属性

描述	MOSFET N-CH 60V 75A	漏极连续电流	75 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.0117 Ohms	配置	Single
最大工作温度	+ 175 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TO-263	封装	Reel
下降时间	26 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	158 W	上升时间	27 ns
工厂包装数量	1	典型关闭延迟时间	34 ns
零件号别名	IPB120N06NGXT

ipb120n06n g的相关型号：