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IPD031N03M G

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
产品属性
描述MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 30V 90A漏极连续电流90 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)3.1 mOhms配置Single
最大工作温度+ 175 C封装 / 箱体TO-252
封装Reel最小工作温度- 55 C
功率耗散94000 mW工厂包装数量2500
典型关闭延迟时间34 ns零件号别名IPD031N03MGXT

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