| 描述 | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 5 毫欧 @ 30A, 10V |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 50A |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.2V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 3200pF @ 15V | 功率 - 最大 | 68W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63 |
| 供应商设备封装 | PG-TO252-3 | 包装 | 剪切带 (CT) |
| 其它名称 | IPD050N03LGINCT |
