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  • IPD06N03LB G

IPD06N03LB G

  • 制造商:-
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品属性
描述MOSFET N-CH 30V 50A TO-252FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C50A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.1 毫欧 @ 50A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 40?A
闸电荷(Qg) @ Vgs22nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds2800pF @ 15V
功率 - 最大83W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商设备封装PG-TO252-3
包装带卷 (TR)其它名称IPD06N03LB G-NDIPD06N03LBGINTRIPD06N03LBGXTSP000016411

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