描述 | MOSFET N-CH 30V 50A TO-252 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 50A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 6.1 毫欧 @ 50A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2V @ 40?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 22nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2800pF @ 15V |
功率 - 最大 | 83W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 供应商设备封装 | PG-TO252-3 |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | IPD06N03LB G-NDIPD06N03LBGINTRIPD06N03LBGXTSP000016411 |