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IPD090N03LGATMA1

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 闸/源击穿电压:20 V
  • 漏极连续电流:40 A

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥5.59
  • 10¥4.83
  • 100¥3.82
  • 500¥2.79
  • 1000¥2.22
产品属性
描述MOSFET电阻汲极/源极 RDS(导通)7.5 mOhms
配置Single最大工作温度+ 175 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体TO-252
封装Reel下降时间2.6 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值)53 S栅极电荷 Qg15 nC
最小工作温度- 55 C功率耗散42 W
上升时间3 ns

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