您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > ipd10n03lag

IPD10N03LAG

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:25 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
产品属性
描述MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V漏极连续电流30 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)17.4 m Ohms配置Single
最大工作温度+ 175 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TO-252封装Reel
下降时间2.8 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散52 W上升时间4.8 ns
典型关闭延迟时间18 ns

ipd10n03lag的相关型号: