描述 | MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3 | FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
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FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 120V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 75A | 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 11 毫欧 @ 75A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 83?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 65nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 4310pF @ 60V | 功率 - 最大 | 136W |
安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商设备封装 | PG-TO252-3 | 包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | IPD110N12N3 G-NDIPD110N12N3 GTRSP000674466 |