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  • IPD110N12N3 G

IPD110N12N3 G

  • 制造商:-
  • 数据列表:IPx110N12N3 G
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:OptiMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$0.8968
  • 5000$0.86359
  • 12500$0.83038
  • 25000$0.81377
  • 62500$0.79716
产品属性
描述MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)120V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C75A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11 毫欧 @ 75A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 83?A闸电荷(Qg) @ Vgs65nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds4310pF @ 60V功率 - 最大136W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装PG-TO252-3包装带卷 (TR)
其它名称IPD110N12N3 G-NDIPD110N12N3 GTRSP000674466

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