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IPD13N03LA G

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:25 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
产品属性
描述MOSFET N-CH 25V 30A漏极连续电流30 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)21.9 Ohms配置Single
最大工作温度+ 175 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TO-252封装Reel
下降时间2.6 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)36 S / 18 S
最小工作温度- 55 C功率耗散46 W
上升时间4.6 ns工厂包装数量2500
典型关闭延迟时间15 ns

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