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  • IPD200N15N3 G

IPD200N15N3 G

  • 制造商:-
  • 数据列表:IPx200N15N3 GIPx200N15N3 G
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:OptiMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$1.0885
  • 5000$1.04819
  • 12500$1.00788
  • 25000$0.98772
  • 62500$0.96756
产品属性
描述MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C50A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫欧 @ 50A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 90?A闸电荷(Qg) @ Vgs31nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds1820pF @ 75V功率 - 最大150W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装PG-TO252-3包装带卷 (TR)
其它名称IPD200N15N3 G-NDIPD200N15N3 GTRSP000386665

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