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IPD230N06N G

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:60 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V

参考价格

  • 数量单价
  • 1520¥3.59
  • 2000¥3.05
  • 2500¥3.05
  • 5000¥2.90
  • 10000¥2.78
产品属性
描述MOSFET OptiMOS PWR TRANST 60V 30A漏极连续电流30 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)23 mOhms配置Single
最大工作温度+ 175 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TO-252封装Reel
下降时间24 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散100000 mW上升时间25 ns
典型关闭延迟时间26 ns零件号别名IPD230N06NGBTMA1 IPD230N06NGXT SP000450200

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