您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > ipd30n06s3-24

IPD30N06S3-24

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:55 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
产品属性
描述MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 30A 24mOhms漏极连续电流30 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)24 m Ohms配置Single
最大工作温度+ 175 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TO-252封装Reel
下降时间26 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散45 W上升时间26 ns
典型关闭延迟时间13 ns零件号别名IPD30N06S324XT

ipd30n06s3-24的相关型号: