您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > ipd50n06s3l-06

IPD50N06S3L-06

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:55 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 16 V
产品属性
描述MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 6.0mOhms漏极连续电流50 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)6 m Ohms配置Single
最大工作温度+ 175 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TO-252封装Reel
下降时间115 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散136 W上升时间57 ns
典型关闭延迟时间75 ns零件号别名IPD50N06S3L06XT

ipd50n06s3l-06的相关型号: