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  • IPD60R2K0C6

IPD60R2K0C6

  • 制造商:-
  • 数据列表:IPD60R2K0C6
  • 产品培训模块:CoolMOS? CP High Voltage MOSFETs Converters
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$0.2829
  • 5000$0.26339
  • 12500$0.25363
  • 25000$0.24388
  • 62500$0.23997
产品属性
描述MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3系列CoolMOS?
FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)600V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2 欧姆 @ 760mA,10VId 时的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 60?A
闸电荷(Qg) @ Vgs6.7nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds140pF @ 100V
功率 - 最大22.3W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商设备封装PG-TO252-3
包装带卷 (TR)其它名称IPD60R2K0C6TRSP000799132

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