| 描述 | MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-252 | 系列 | CoolMOS? |
|---|---|---|---|
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 | FET 特点 | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 600V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 520 毫欧 @ 3.8A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3.5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 31nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 630pF @ 100V |
| 功率 - 最大 | 66W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 供应商设备封装 | PG-TO252-3 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | IPD60R520CP-NDSP000405852 |
