| 描述 | MOSFET N-CH 700V 6.0A TO252 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 660 毫欧 @ 2.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4.5V @ 200?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 615pF @ 100V | 功率 - 最大 | 62.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | PG-TO252 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | IPD65R660CFDBTMA1SP000745024 |
