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  • IPD70N04S3-07

IPD70N04S3-07

  • 制造商:-
  • 数据列表:IPD70N04S3-07
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:OptiMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$0.48314
  • 5000$0.45898
  • 12500$0.44
  • 25000$0.42792
  • 62500$0.41412
产品属性
描述MOSFET N-CH 40V 82A TO252-3FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C82A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6 毫欧 @ 70A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 50?A闸电荷(Qg) @ Vgs40nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds2700pF @ 25V功率 - 最大79W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装PG-TO252-3包装带卷 (TR)
其它名称IPD70N04S3-07-NDIPD70N04S3-07TRSP000261221

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