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  • IPD800N06N G

IPD800N06N G

  • 制造商:-
  • 数据列表:IPD800N06N G
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:OptiMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$0.27782
产品属性
描述MOSFET N-CH 60V 16A TO-252FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C16A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C80 毫欧 @ 16A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 16?A闸电荷(Qg) @ Vgs10nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds370pF @ 30V功率 - 最大47W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装PG-TO252-3包装带卷 (TR)
其它名称IPD800N06N G-NDIPD800N06NGINTRIPD800N06NGXTSP000204179SP000443764

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