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  • IPF012N06NF2SATMA1

IPF012N06NF2SATMA1

  • 制造商:-
  • 现有数量:800现货
  • 价格:1 : ¥26.08000剪切带(CT)800 : ¥16.34530卷带(TR)
  • 系列:StrongIRFET?2
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态:在售
产品属性
描述TRENCH 40<-<100VFET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)41A(Ta),282A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.2 毫欧 @ 100A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.3V @ 186μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)233 nC @ 10 VVgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)10500 pF @ 30 VFET 功能-
功率耗散(最大值)3.8W(Ta),250W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装PG-TO263-7-U02
封装/外壳TO-263-7,D2Pak(6 引线 + 接片)

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