描述 | MOSFET | FET 类型 | N 通道 |
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技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 19A(Ta),117A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 6V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 5.05 毫欧 @ 60A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.8V @ 84μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 76 nC @ 10 V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3600 pF @ 50 V | FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 3.8W(Ta),150W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-TO263-7 |
封装/外壳 | TO-263-7,D2Pak(6 引线 + 接片) |