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  • IPG15N06S3L-45

IPG15N06S3L-45

  • 制造商:-
  • 标准包装:5,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 型:2 个 N 沟道(双)
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品属性
描述MOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)55V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C15A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C45 毫欧 @ 10A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 10?A
闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1420pF @ 25V
功率 - 最大21W安装类型表面贴装
封装/外壳8-PowerTDFN供应商设备封装PG-TDSON-8-4(5.15x6.15)
包装带卷 (TR)其它名称SP000396302

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