| 描述 | MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4 | FET 型 | 2 个 N 沟道（双） |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 20A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 35 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 27?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 790pF @ 25V | 功率 - 最大 | 65W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装 | PG-TDSON-8-4（5.15x6.15） | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | IPG20N06S2L35ATMA1SP000613718 |
