| 描述 | MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 55V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 35 毫欧 @ 11A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.2V @ 15?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 23nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1730pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 30W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN | 供应商设备封装 | PG-TDSON-8-4（5.15x6.15） |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | SP000396306 |
