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  • IPG20N06S4L26ATMA1

IPG20N06S4L26ATMA1

  • 制造商:-
  • 现有数量:2,403现货
  • 价格:1 : ¥8.82000剪切带(CT)5,000 : ¥3.56820卷带(TR)
  • 系列:OptiMOS?
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态:在售
产品属性
描述MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8技术MOSFET(金属氧化物)
配置2 N-通道(双)FET 功能逻辑电平门
漏源电压(Vdss)60V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)20A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)26 毫欧 @ 17A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 10μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)20nC @ 10V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1430pF @ 25V
功率 - 最大值33W工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳8-PowerVDFN
供应商器件封装PG-TDSON-8-4

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