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  • IPI041N12N3 G

IPI041N12N3 G

  • 制造商:-
  • 数据列表:IPx041N12N3 G, IPB038N12N3 G
  • 标准包装:500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:OptiMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$6.94
  • 10$6.2
  • 25$5.58
  • 100$5.084
  • 250$4.588
产品属性
描述MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)120V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C120A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.1 毫欧 @ 100A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 270?A闸电荷(Qg) @ Vgs211nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds13800pF @ 60V功率 - 最大300W
安装类型通孔封装/外壳TO-262-3,长引线,I?Pak,TO-262AA
供应商设备封装PG-TO262-3包装管件
其它名称SP000652748

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